Aspectos destacados de la industria tecnológica de Kinghelm (19 de octubre de 2026 - 25 de octubre de 2026)

1. Según informes, NVIDIA estandariza los chips base NVHBM en la tecnología de 3 nm de TSMC.

Fecha: Octubre 19, 2026
Resumen:
Según informes, NVIDIA ha solicitado a Samsung, SK hynix y Micron que utilicen el proceso de 3 nm de TSMC para los chips base de su memoria NVHBM de próxima generación. Esta medida estandarizaría la producción de chips base HBM en TSMC e integraría a los tres proveedores de memoria en una plataforma de fabricación común, según TrendForce y medios de comunicación coreanos. Los chips base gestionan las funciones de control e interfaz de la memoria, por lo que la elección del nodo de proceso y el empaquetado afecta directamente al ancho de banda, el consumo de energía y el rendimiento.
Importancia:
Refuerza el vínculo entre HBM y la capacidad de fundición de vanguardia, otorgando a TSMC un papel más importante en el suministro de memoria para IA y convirtiendo la asignación de 3 nm, el empaquetado CoWoS y la calificación del chip base en variables clave para HBM4 y versiones posteriores.
Fuente: TrendForce; Reuters; The Next Web

2. CXMT prevé un aumento de ingresos de más de ocho veces a medida que persiste la escasez de memoria.

Fecha: Octubre 19, 2026
Resumen:
Según The Wall Street Journal, CXMT prevé que sus ingresos se multipliquen por más de ocho este año en medio de la escasez mundial de memoria, tras registrar un beneficio récord en los primeros nueve meses del año. Sus acciones cayeron casi un 8%, ya que los inversores no se centraron en la valoración, la ejecución y la sostenibilidad de los precios de la memoria, sino en la mejora de los resultados. Al parecer, CXMT también está preparando una ofensiva en el sector de la memoria NAND, mientras que su rival YMTC trabaja en la DRAM, intensificando así la competencia entre las dos mayores empresas de memoria de China.
Importancia:
Esto demuestra la rapidez con la que los proveedores de memorias de China están aumentando su producción durante la escasez provocada por la IA, mientras que la entrada cruzada en los sectores de NAND y DRAM podría remodelar las relaciones de suministro, los precios y la competencia tecnológica en los próximos años.
Fuente: CXMT; The Wall Street Journal; CNBC

3. YMTC producirá en masa LPDDR5X a 9,600 MT/s y se expandirá al mercado de DRAM.

Fecha: Octubre 23, 2026
Resumen:
YMTC planea iniciar la producción en masa de memoria LPDDR5X con una velocidad de 9,600 MT/s. Según informes, el dispositivo está diseñado para celdas de memoria 4F2 y marca la incursión del fabricante chino de NAND en el mercado de DRAM. Según KED Global, YMTC también ha superado a Samsung en el mercado chino de memoria flash NAND, fortaleciendo su posición justo cuando se prepara para su salida a bolsa. La compañía apuesta por productos eSSD de alta gama y memoria móvil de alta velocidad para competir con Samsung, SK hynix y Micron.
Importancia:
Se suma un nuevo proveedor de DRAM con sede en China y un competidor más fuerte en el mercado de NAND, lo que aumenta la probabilidad de cambios en los precios y la cuota de mercado de la memoria móvil y el almacenamiento empresarial, al tiempo que ofrece a los compradores más opciones de suministro fuera de Corea y Estados Unidos.
Fuente: YMTC; TechPowerUp; KED Global

4. Los plazos de entrega de los condensadores cerámicos multicapa (MLCC) de Samsung Electro-Mechanics alcanzan las 52 semanas debido al aumento de la demanda de IA.

Fecha: Octubre 21, 2026
Resumen:
Los plazos de entrega de los condensadores cerámicos multicapa (MLCC) de Samsung Electro-Mechanics se han extendido a unas 52 semanas, y los nuevos pedidos tardan ahora aproximadamente un año en completarse, ya que la demanda de servidores de IA supera la capacidad disponible, según informes del sector. La compañía también está ampliando la producción de sustratos FC-BGA y ABF mediante una alianza estratégica con NVIDIA, y se informa que creará capacidad dedicada para la cadena de suministro de aceleradores de IA. Esta escasez de capacidad se extiende más allá de la memoria, afectando a los componentes pasivos y los sustratos, dos áreas donde la ampliación de capacidad es lenta y los ciclos de cualificación son prolongados.
Importancia:
Se confirma que la demanda de infraestructura de IA está generando escasez de MLCC y sustratos de circuitos integrados, no solo de lógica y memoria. Los plazos de entrega más largos aumentan el riesgo de adquisición de servidores, equipos de red y fuentes de alimentación, y refuerzan la necesidad de una asignación temprana y una planificación con múltiples proveedores.
Fuente: Samsung Electro-Mecánica; THE ELEC; Chosunbiz

5. Se prevé que los precios de los contratos de DRAM aumenten un 20% intertrimestral en el cuarto trimestre de 2026.

Fecha: Octubre 20, 2026
Resumen:
TrendForce prevé que los precios de los contratos de DRAM aumenten aproximadamente un 20 % intertrimestral en el cuarto trimestre de 2026, un incremento menor que el del trimestre anterior, pero aún respaldado por la demanda de IA y la escasez de oferta. El pronóstico abarca tanto la DRAM convencional como los segmentos de servidores y dispositivos móviles, donde los proveedores priorizan las asignaciones de alto valor para IA y centros de datos. Los fabricantes de memorias siguen destinando capacidad de producción de obleas a HBM y productos avanzados, lo que limita la disponibilidad de DRAM estándar.
Importancia:
Mantiene la presión sobre los costes en ordenadores personales, teléfonos inteligentes, equipos de red y sistemas industriales que dependen de la memoria DRAM estándar, y refuerza la necesidad de acuerdos de suministro a largo plazo, flexibilidad de diseño y adquisiciones anticipadas.
Fuente: TrendForce

6. Estados Unidos otorga 389 millones de dólares para I+D en semiconductores y materiales de potencia.

Fecha: Octubre 22, 2026
Resumen:
El Departamento de Comercio de EE. UU. firmó cartas de intención para otorgar hasta 389 millones de dólares en subvenciones para I+D en el marco de la Ley CHIPS a cuatro empresas que desarrollan semiconductores de potencia, módulos de potencia y materiales críticos. Helion recibirá hasta 175 millones de dólares para semiconductores de potencia de alto voltaje y módulos de potencia pulsada; Commonwealth Fusion Systems, hasta 85 millones de dólares para electrónica de radiofrecuencia y resistente a la radiación; Vertical Semiconductor, hasta 73 millones de dólares para dispositivos de potencia GaN verticales destinados a un rack de centro de datos de IA de 2.5 MW; y Sibelco, hasta 56 millones de dólares para cuarzo de ultra alta pureza. El gobierno recibirá participaciones minoritarias sin derecho a voto en las empresas.
Importancia:
Deriva la financiación pública hacia dispositivos y materiales de alta tensión y alta eficiencia, cada vez más importantes para los centros de datos de IA, la infraestructura de la red eléctrica y la fabricación avanzada, reduciendo así la dependencia de proveedores extranjeros para componentes de energía críticos.
Fuente: NIST; Departamento de Comercio de EE. UU.; Reuters

At Kinghelm

At KinghelmMonitoreamos los precios de la memoria, los plazos de entrega de los componentes pasivos y la capacidad de los dispositivos de potencia, ya que influyen directamente en la disponibilidad de los componentes y los ciclos de diseño. Estas señales guían nuestro trabajo en antenas de RF, conectores, mazos de cables, cables de precisión y soluciones de interconexión para infraestructura de IA, electrónica automotriz e industrial.