Destaques da indústria de tecnologia Kinghelm (19 de outubro de 2026 - 25 de outubro de 2026)

1. A NVIDIA supostamente padronizou os chips base NVHBM na tecnologia de 3nm da TSMC.

Data: outubro de 19, 2026
Resumo:
Segundo relatos, a NVIDIA solicitou à Samsung, SK hynix e Micron que utilizem o processo de 3nm da TSMC para os chips base de sua memória NVHBM de próxima geração. A medida padronizaria a produção dos chips base HBM na TSMC e reuniria os três fornecedores de memória em uma plataforma de fundição comum, de acordo com a TrendForce e reportagens da mídia coreana. Os chips base são responsáveis ​​pelo controle da memória e pelas funções de interface, portanto, as escolhas de processo de fabricação e encapsulamento afetam diretamente a largura de banda, o consumo de energia e o rendimento.
Importância:
Reforça a ligação entre a tecnologia HBM e a capacidade de fundição de ponta, conferindo à TSMC um papel mais importante no fornecimento de memória para IA e tornando a alocação de 3nm, a embalagem CoWoS e a qualificação do chip base variáveis-chave para a HBM4 e tecnologias futuras.
Fonte: TrendForce; Reuters; The Next Web

2. A CXMT prevê um aumento de receita superior a oito vezes devido à persistência da escassez de memória.

Data: outubro de 19, 2026
Resumo:
A CXMT espera que sua receita aumente mais de oito vezes este ano em meio à escassez global de memória, segundo o The Wall Street Journal, após a fabricante chinesa de DRAM ter divulgado um lucro recorde nos primeiros nove meses do ano. Suas ações caíram quase 8%, já que os investidores ignoraram a recuperação dos resultados e se concentraram na avaliação da empresa, na execução de seus planos e na sustentabilidade dos preços da memória. A CXMT também estaria se preparando para investir em NAND, enquanto sua concorrente YMTC trabalha em DRAM, ampliando a competição entre as duas maiores empresas de memória da China.
Importância:
Isso demonstra a rapidez com que os fornecedores de memória da China estão expandindo suas operações durante a escassez impulsionada pela IA, enquanto a entrada cruzada nos mercados de NAND e DRAM pode remodelar as relações de fornecimento, os preços e a competição tecnológica nos próximos anos.
Fonte: CXMT; The Wall Street Journal; CNBC

3. A YMTC produzirá em massa LPDDR5X de 9,600 MT/s e expandirá para DRAM.

Data: outubro de 23, 2026
Resumo:
A YMTC planeja iniciar a produção em massa de memória LPDDR5X com velocidade de 9,600 MT/s. Segundo relatos, o dispositivo tem como alvo células de memória 4F2 e marca a entrada da fabricante chinesa de NAND no mercado de DRAM. A YMTC também ultrapassou a Samsung no mercado de memória flash NAND da China, de acordo com a KED Global, fortalecendo sua posição justamente quando se prepara para um IPO. A empresa aposta em produtos eSSD premium e memória móvel de alta velocidade para competir com Samsung, SK hynix e Micron.
Importância:
A entrada de um novo fabricante de DRAM com sede na China e um concorrente mais forte no mercado de NAND aumentam a probabilidade de mudanças nos preços e na participação de mercado em memória móvel e armazenamento corporativo, ao mesmo tempo que oferecem aos compradores mais opções de fornecimento fora da Coreia e dos Estados Unidos.
Fonte: YMTC; TechPowerUp; KED Global

4. Os prazos de entrega dos MLCCs da Samsung Electro-Mechanics chegam a 52 semanas devido ao aumento da demanda por IA.

Data: outubro de 21, 2026
Resumo:
Os prazos de entrega de MLCCs da Samsung Electro-Mechanics aumentaram para cerca de 52 semanas, com novos pedidos levando agora aproximadamente um ano para serem atendidos, à medida que a demanda por servidores de IA supera a capacidade disponível, de acordo com relatórios do setor. A empresa também está expandindo a produção de substratos FC-BGA e ABF por meio de uma parceria estratégica com a NVIDIA, e há relatos de que construirá capacidade dedicada para a cadeia de suprimentos de aceleradores de IA. O aperto se estende além da memória, atingindo componentes passivos e substratos, duas áreas onde os aumentos de capacidade são lentos e os ciclos de qualificação são longos.
Importância:
Confirma que a demanda por infraestrutura de IA está criando escassez de MLCCs e substratos de circuitos integrados, e não apenas de lógica e memória. Prazos de entrega mais longos aumentam o risco de aquisição de servidores, equipamentos de rede e fontes de alimentação, e reforçam a necessidade de alocação antecipada e planejamento com múltiplos fornecedores.
Fonte: Samsung Eletromecânica; THE ELEC; Chosunbiz

5. Prevê-se um aumento de 20% nos preços dos contratos de DRAM no quarto trimestre de 2026.

Data: outubro de 20, 2026
Resumo:
A TrendForce prevê um aumento de cerca de 20% nos preços contratuais da DRAM no quarto trimestre de 2026, em comparação com o trimestre anterior. Esse crescimento foi mais lento do que o observado no trimestre anterior, mas ainda impulsionado pela demanda por IA e pela oferta restrita. A previsão abrange tanto a DRAM convencional quanto os segmentos de servidores e dispositivos móveis, nos quais os fornecedores estão priorizando alocações de alto valor para IA e data centers. Os fabricantes de memória continuam direcionando a capacidade de produção de wafers para HBM e produtos avançados, limitando a disponibilidade de DRAM convencional.
Importância:
Mantém a pressão sobre os custos em PCs, smartphones, equipamentos de rede e sistemas industriais que dependem de DRAM padrão, e reforça a necessidade de contratos de fornecimento de longo prazo, flexibilidade de design e aquisição antecipada.
Fonte: TrendForce

6. Os EUA destinam US$ 389 milhões para pesquisa e desenvolvimento de semicondutores e materiais de potência.

Data: outubro de 22, 2026
Resumo:
O Departamento de Comércio dos EUA assinou cartas de intenção para até US$ 389 milhões em financiamento para pesquisa e desenvolvimento (P&D) da Lei CHIPS a quatro empresas que desenvolvem semicondutores de potência, módulos de potência e materiais críticos. A Helion receberá até US$ 175 milhões para semicondutores de potência de alta tensão e módulos de potência pulsada; a Commonwealth Fusion Systems, até US$ 85 milhões para eletrônica resistente a radiofrequência e radiação; a Vertical Semiconductor, até US$ 73 milhões para dispositivos de potência GaN verticais voltados para um rack de data center de IA de 2.5 MW; e a Sibelco, até US$ 56 milhões para quartzo de ultra-alta pureza. O governo receberá participações minoritárias, sem direito a voto, nas empresas.
Importância:
Direciona o financiamento público para dispositivos e materiais de energia de alta tensão e alta eficiência, que são cada vez mais importantes para centros de dados de IA, infraestrutura de redes elétricas e manufatura avançada, reduzindo a dependência de fornecedores estrangeiros para componentes de energia críticos.
Fonte: NIST; Departamento de Comércio dos EUA; Reuters

At Kinghelm

At KinghelmMonitoramos os preços da memória, os prazos de entrega de componentes passivos e a capacidade de dispositivos de potência, pois eles afetam diretamente a disponibilidade de componentes e os ciclos de projeto. Esses indicadores orientam nosso trabalho em antenas de RF, conectores, chicotes elétricos, cabos de precisão e soluções de interconexão para infraestrutura de IA, eletrônica automotiva e industrial.