خبریں
خبریں

ٹیک انڈسٹری کی جھلکیاں منجانب Kinghelm (19 اکتوبر 2026 تا 25 اکتوبر 2026)

2026-10-26 107


1. NVIDIA نے مبینہ طور پر TSMC 3nm پر NVHBM بیس کو معیاری بنا دیا

تاریخ: اکتوبر 19 ، 2026۔
خلاصہ:
NVIDIA نے مبینہ طور پر Samsung، SK hynix اور Micron سے کہا ہے کہ وہ اپنی اگلی نسل کی NVHBM میموری کی بیس ڈیز کے لیے TSMC کا 3nm عمل استعمال کریں۔ TrendForce اور کوریائی میڈیا رپورٹس کے مطابق، یہ اقدام TSMC میں HBM بیس ڈائی پروڈکشن کو معیاری بنائے گا اور تینوں میموری سپلائرز کو ایک مشترکہ فاؤنڈری پلیٹ فارم پر لائے گا۔ بیس ڈائی میموری کنٹرول اور انٹرفیس کے افعال کو سنبھالتی ہے، لہذا پروسیس نوڈ اور پیکیجنگ کے انتخاب براہ راست بینڈوتھ، پاور اور پیداوار کو متاثر کرتے ہیں۔
اہمیت:
HBM اور معروف فاؤنڈری کی صلاحیت کے درمیان تعلق کو مضبوط کرتا ہے، TSMC کو AI میموری کی فراہمی میں بڑا کردار دیتا ہے اور HBM4 اور اس سے آگے کے لیے 3nm مختص، CoWoS پیکیجنگ اور بیس ڈائی کوالیفیکیشن کلیدی متغیرات بناتا ہے۔
ماخذ: ٹرینڈ فورس؛ رائٹرز اگلا ویب

2. CXMT کو آٹھ گنا سے زیادہ ریونیو میں اضافے کی توقع ہے کیونکہ میموری سکوز برقرار رہتا ہے

تاریخ: اکتوبر 19 ، 2026۔
خلاصہ:
وال سٹریٹ جرنل کے مطابق، چینی DRAM بنانے والی کمپنی کی جانب سے نو ماہ کے ریکارڈ منافع کی اطلاع کے بعد، CXMT کو توقع ہے کہ عالمی میموری کی کمی کے درمیان اس سال آمدنی آٹھ گنا سے زیادہ بڑھ جائے گی۔ اس کے حصص تقریباً 8% گر گئے کیونکہ سرمایہ کاروں نے کمائی کے ٹرن آراؤنڈ کو دیکھا اور قیمتوں کا تعین، عمل درآمد اور میموری کی قیمتوں کے استحکام پر توجہ مرکوز کی۔ CXMT مبینہ طور پر NAND پش بھی تیار کر رہا ہے جبکہ حریف YMTC DRAM پر کام کرتا ہے، چین کی دو سب سے بڑی میموری کمپنیوں کے درمیان مسابقت کو بڑھا رہا ہے۔
اہمیت:
دکھاتا ہے کہ چین کے میموری فراہم کرنے والے AI سے چلنے والی کمی کے دوران کتنی تیزی سے اسکیل کر رہے ہیں، جبکہ NAND اور DRAM میں کراس انٹری اگلے کئی سالوں میں سپلائی کے تعلقات، قیمتوں اور ٹیکنالوجی کے مقابلے کو نئی شکل دے سکتی ہے۔
ماخذ: CXMT; وال سٹریٹ جرنل؛ سی این بی سی

3. YMTC سے بڑے پیمانے پر 9,600 MT/s LPDDR5X پیدا کریں اور DRAM میں پھیلائیں

تاریخ: اکتوبر 23 ، 2026۔
خلاصہ:
YMTC 9,600 MT/s کی رفتار سے چلنے والی LPDDR5X میموری کی بڑے پیمانے پر پیداوار شروع کرنے کا ارادہ رکھتا ہے، رپورٹس کے مطابق یہ آلہ 4F2 میموری سیلز کو نشانہ بناتا ہے اور چینی NAND بنانے والے کے DRAM میں قدم کو نشان زد کرتا ہے۔ YMTC نے چین کی NAND فلیش مارکیٹ میں بھی سام سنگ کو پیچھے چھوڑ دیا ہے، KED Global کے مطابق، اپنی پوزیشن کو اسی طرح مضبوط کرتا ہے جیسے وہ IPO کی تیاری کر رہا ہے۔ کمپنی سام سنگ، ایس کے ہائنکس اور مائیکرون کا مقابلہ کرنے کے لیے پریمیم ای ایس ایس ڈی مصنوعات اور تیز رفتار موبائل میموری پر شرط لگا رہی ہے۔
اہمیت:
چین میں مقیم ایک نیا DRAM داخل کرنے والا اور ایک مضبوط NAND مدمقابل شامل کرتا ہے، جس سے خریداروں کو کوریا اور ریاستہائے متحدہ سے باہر سپلائی کے مزید اختیارات دیتے ہوئے موبائل میموری اور انٹرپرائز اسٹوریج میں قیمت اور شیئر کی تبدیلی کے امکانات بڑھ جاتے ہیں۔
ماخذ: YMTC؛ ٹیک پاور اپ؛ کے ای ڈی گلوبل

4. Samsung Electro-Mechanics MLCC لیڈ ٹائمز 52 ہفتوں تک پہنچ گئے کیونکہ AI ڈیمانڈ میں اضافہ

تاریخ: اکتوبر 21 ، 2026۔
خلاصہ:
انڈسٹری کی رپورٹس کے مطابق، سام سنگ الیکٹرو میکینکس کے ایم ایل سی سی کے لیڈ ٹائمز تقریباً 52 ہفتوں تک بڑھ گئے ہیں، نئے آرڈرز کو پورا کرنے میں تقریباً ایک سال لگ رہا ہے کیونکہ AI سرور کی طلب دستیاب صلاحیت پر غالب ہے۔ کمپنی NVIDIA کے ساتھ اسٹریٹجک پارٹنرشپ کے ذریعے FC-BGA اور ABF سبسٹریٹ پروڈکشن کو بھی بڑھا رہی ہے، اور رپورٹس کے مطابق یہ AI ایکسلریٹر سپلائی چین کے لیے وقف صلاحیت پیدا کرے گی۔ سختی میموری سے آگے غیر فعال اجزاء اور ذیلی جگہوں تک پھیلی ہوئی ہے، دو ایسے شعبے جہاں صلاحیت میں اضافہ سست ہے اور قابلیت کے چکر لمبے ہیں۔
اہمیت:
اس بات کی تصدیق کرتا ہے کہ AI انفراسٹرکچر کی طلب صرف منطق اور میموری کی نہیں بلکہ MLCCs اور IC سبسٹریٹس میں کمی پیدا کر رہی ہے۔ لمبا لیڈ ٹائم سرورز، نیٹ ورکنگ گیئر اور پاور سپلائیز کے لیے پروکیورمنٹ کا خطرہ بڑھاتا ہے، اور جلد مختص اور ملٹی سورس پلاننگ کے معاملے کو مضبوط کرتا ہے۔
ماخذ: سام سنگ الیکٹرو مکینکس؛ الیکشن چوسن بز

5. DRAM کنٹریکٹ کی قیمتیں Q4 2026 میں QoQ میں 20% بڑھ رہی ہیں

تاریخ: اکتوبر 20 ، 2026۔
خلاصہ:
TrendForce کو توقع ہے کہ DRAM معاہدے کی قیمتیں 2026 کی چوتھی سہ ماہی میں سہ ماہی کے مقابلے میں تقریباً 20% بڑھ جائیں گی، جو کہ پچھلی سہ ماہی کے اضافے سے کم ہے لیکن پھر بھی AI کی طلب اور سخت رسد سے تعاون یافتہ ہے۔ پیشن گوئی میں روایتی DRAM کے ساتھ ساتھ سرور اور موبائل سیگمنٹس کا احاطہ کیا گیا ہے، جہاں سپلائرز اعلیٰ قدر والی AI اور ڈیٹا سینٹر مختص کرنے کو ترجیح دے رہے ہیں۔ میموری بنانے والے ویفر کی صلاحیت کو HBM اور جدید مصنوعات کی طرف منتقل کرتے رہتے ہیں، جس سے کموڈٹی DRAM کی دستیابی محدود ہوتی ہے۔
اہمیت:
پی سی، اسمارٹ فونز، نیٹ ورکنگ آلات اور صنعتی نظاموں میں لاگت کے دباؤ کو برقرار رکھتا ہے جو معیاری DRAM پر انحصار کرتے ہیں، اور طویل مدتی فراہمی کے معاہدوں، ڈیزائن کی لچک اور جلد خریداری کی ضرورت کو تقویت دیتے ہیں۔
ماخذ: TrendForce

6. پاور سیمی کنڈکٹر اور میٹریلز R&D کے لیے امریکی ایوارڈز $389 ملین

تاریخ: اکتوبر 22 ، 2026۔
خلاصہ:
امریکی محکمہ تجارت نے پاور سیمی کنڈکٹرز، پاور ماڈیولز اور اہم مواد تیار کرنے والی چار کمپنیوں کو CHIPS ایکٹ R&D ایوارڈز میں $389 ملین تک کے ارادے کے خطوط پر دستخط کیے ہیں۔ ہیلیون کو ہائی وولٹیج پاور سیمی کنڈکٹرز اور پلسڈ پاور ماڈیولز کے لیے $175 ملین تک، RF اور تابکاری سے سخت الیکٹرانکس کے لیے $85 ملین تک کامن ویلتھ فیوژن سسٹم، عمودی GaN پاور ڈیوائسز کے لیے $73 ملین تک عمودی سیمی کنڈکٹر، 2.5-MW سے 56 ملین ڈالر تک ڈیٹا اور AIKO کے لیے $73 ملین تک انتہائی اعلی طہارت کوارٹج. حکومت کو کمپنیوں میں اقلیتی، نان ووٹنگ ایکویٹی حصص ملے گا۔
اہمیت:
عوامی فنڈنگ ​​کو ہائی وولٹیج، اعلی کارکردگی والے پاور ڈیوائسز اور مواد کی طرف ہدایت کرتا ہے جو AI ڈیٹا سینٹرز، گرڈ انفراسٹرکچر اور جدید مینوفیکچرنگ کے لیے تیزی سے اہم ہوتے ہیں، اہم پاور پرزوں کے لیے غیر ملکی سپلائرز پر انحصار کو کم کرتے ہیں۔
ماخذ: NIST؛ امریکی محکمہ تجارت؛ رائٹرز

At Kinghelm

At Kinghelm، ہم میموری کی قیمتوں کا تعین، غیر فعال اجزاء کے لیڈ ٹائمز اور پاور ڈیوائس کی صلاحیت کو ٹریک کرتے ہیں کیونکہ یہ اجزاء کی دستیابی اور ڈیزائن سائیکل کو براہ راست متاثر کرتے ہیں۔ یہ سگنلز AI انفراسٹرکچر، آٹوموٹو اور صنعتی الیکٹرانکس کے لیے RF اینٹینا، کنیکٹر، وائر ہارنیس، پریزیشن کیبلز اور انٹر کنیکٹ سلوشنز میں ہمارے کام کی رہنمائی کرتے ہیں۔